pg电子游戏大佬们能说一下半导体的八大工艺流程是什么吗？

　　pg电子游戏大佬们能说一下半导体的八大工艺流程是什么吗？作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的。

　　A：在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死pg电子游戏试玩平台网站，产生空洞现象，因为有PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。

　　8：为什么HDP DEP后要有RTA？A：因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除。

　　A：NITRIDE的硬度较大，相对来说OX的研磨速率更高，因此STICMP 会有一定量的Dishing.

　　12：SAC OX 的作用？为什么要去除PAD OX后才长SAC OX ，而不直接用PAD OX？A：因为经过上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE会有很多DAMAGE，PAD OX 损伤也很严重，因此要去掉PAD OX后生长一层OXIDE来消除这些DAMAGE，同时SAC OX也避免PR与SI的表面直接接触，造成污染。也为下一步的IMP作阻挡层，防止离子IMP时发生穿隧效应。

　　14、WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？0.18UM制程中WELL IMP有三次：WELL IMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。CHANNEL IMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCH THROUGHpg电子游戏试玩平台网站。VT注入，靠近器件表面，调节器件的开启电压

　　15、什么是PUNCH THROUGH，为消除它有哪些手段？PUNCH THROUGH是指器件的S、D因为耗尽区相接而发生的穿通现象。S、D对于SUB有各自的耗尽区。当器件尺寸较小时，只要二者对衬底的偏压条件满足，就可能发生PUNCH THROUGH效应。这样，不论GATE有无开启都会有PUNCH THROUGH产生的电流流过S、D。

　　在制程中，采用POCKET和CHANNEL IMP来加大容易发生PUNCH THROUGH位置的SUB浓度，从而减小器件工作时在该处产生的耗尽层宽度以达到避免PUNCH THROUGH发生的效果。

　　17、为什么用UNDOPE的多晶?掺杂POLY（一般指N型）在CMOS工艺中会对PMOS的VT有较大影响，而UNDOPE的掺杂可以由后面的S、D的IMP来完成，容易控制。

　　18解释HOT CARRIER EFFECT，说明LDD的作用。当MOSFET通道长度缩小时，若工作电压没有适当的缩小，通道内的电场会增大，靠近电极处最大，以至于电子在此区域获得足够的能量，经过撞击游离作用，产生电子-空穴对。这些电子空穴对有的穿过氧化层形成门极电流，有的留在氧化层内影响开启电压。同时也使得表面的迁移率降低。LDD的轻掺杂使横向电场强度减小，热载流子效应被降低。

　　24.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA? TiN(200?)的作用。Salicide过厚或者过薄有何影响。第一次在500℃下退火，在S/D以及Poly上面形成Co2Si,这样会把表面的Si固定住，从而防止其沿着表面流动，这样形成的Co2Si. Salicide的电阻较大，再经过一次RTA(850℃)后Co2Si→CoSi2,电阻率下降，若经过一次退火，Poly和S/D中的Si会扩散到side wall上，从而在侧墙上也会形成CoSi2，这样就会把Poly与D,S连接起来，造成短路。由于Co在高温时易结块，在Si&POLY表面覆盖不均匀，影响Salicide的质量表面盖一层TiN将Co固定。Salicide过薄，电阻较高，在ETCH时O/E容易刻穿无法形成欧姆接触。过厚则可能使整个S,D都形成Salicide。

　　Glue layer Ti 的粘连性好，TiN作为阻挡层，防止上下层材料的交互扩散，而且Ti与WF6反应会发生爆炸

　　31．为什么要用W-PLUG?在传统的溅射工艺中，铝的淀积容易出现阶梯覆盖不良的问题，因此不适合用于较高集成度的VLSI的生产中。相对来说W的熔点高，而且相对其他高熔点金属导电性好，且用CVD法制作的W的阶梯覆盖能力强。

　　32．MATAL LAYER 的三明治结构如何？各层作用如何？金属电迁移的影响？减小方法？结构为Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN 第一层Ti作为粘接层，TiN作为夹层防止上下层的材料交互扩散防止Al的电迁移 第二层Ti根据实际工艺需要决定其存在与否，TiN除具有防止电迁移的作用外还作为VIA蚀刻的STOP LAYER。

　　Al在大电流密度下容易产生金属离子电迁移的现象，使某些铝条形成空洞甚至断开，而在铝层的另一些区域生长晶须，导致电极短路。

　　35．METAL 6 AlCu DEPTH 为什么要变厚？因为上层的电流比较大，到了下面的金属层电流由于分流作用会减小。

　　37．SN+/SP+ IMP 为什么要进行两次？两次注入的能量和剂量都不同，降低S/D与WELL之间浓度梯度，减小leakage.

　　41、N+ IMPLANT之后作ANNEAL处理，而P+ IMPLANT在淀积SAB后才做ANNEAL，什么原因？试问两者是否可以调换顺序？答：P+ IMPLANT的ANNEAL 在SAB形成之后，目的是用SAB掩盖于表面以避免BORON在高温情况下溢出表面。两者的顺序不可调整，因为N+ IMPLANT注入的是P或AS，质量重，比较稳定。将其IMPLANT放在前面，进行了两次退火，杂质的再分布比较小。相反P+ IMPLANT只作一次退火。

　　42、形成SALICIDE的工艺中，SELECTIVE ETCH的作用是什么，刻掉的是什么物质？用什么化学药品？答：在这里的SELECTIVE ETCH刻掉的是CO & TIN,以避免在其后的高温退火时造成短路。注意由于SAB对器件大小及性能没有影响，并没有被刻掉。这里ETCH所用的化学药品是M2，其成分是--- H3PO4：HNO3：CH3COOH=70：2：12（75℃）。

　　43pg电子游戏试玩平台网站、在形成CONTUCT W PLUG 后作一步ALLOY处理，请问有什么作用？在形成PASSIVATIAN后的作ALLOY又是什么目的？答：第一次的ALLOY的条件是在450℃（90min）。其作用是修复在前道工艺中刻蚀等处理可能造成的损伤。由于形成CONTUCT时接近器件表面，要求比较高。第二次退火的作用相同。因为在后面的工艺距离器件表面比较远，所以在形成PASSIVATIAN后一步ALLOY即可。

　　44、在形成W PLUG 的GLUE LAYER时是用什么方法淀积TI？答：0.18的制程的VIA的DESIGN RULE 比较高，为了使TI与IMD接触良好，在淀积TI时，要求TI陡直地附在VIA侧壁及良好的底部覆盖。这里用离子化金属电浆（IMP）工艺淀积。其优点是可以获得较低且均匀分布的电阻值，同时在淀积较小的厚度下仍可达到所需的底部覆盖，从而减少淀积时间，提高产能率。

　　45、在HDP PASSIVATIAN PHOTO 前为何没有CMP步骤？答：若不作CMP 处理，PASSIVAON表面将不平整，在其后的PHOTO时，将影响PHOTO的对准。由于对BOND PAD 外接引线不要求很高，所以由PHOTO时的偏差在这里不予考虑。